Запоминающие устройства
Запоминающее устройство выполняет роль хранилища, а также может записывать данные. Основу работы любого запоминающего устройства составляет физический эффект, в результате которого система в состоянии перейти сразу к нескольким устойчивым состояниям. При помощи запоминающего устройства организовывается память компьютера. Данный тип компьютерных устройств делится на аналоговые и цифровые ЗУ. Запоминающие устройства делятся на: флеш-память, жесткие и оптические диски, магнитные ЗУ, микросхемы. Они могут быть как интегрированными в систему, так и переносными.
| Наименование | Описание |
Кол-во MOQ |
Срок изготовления
Образцы/партия
месяцев
|
|---|---|---|---|
|
ЭТЗУ001ТМ-В 32МБит |
Запоминающее устройство Flash-типа (ПЗУ) объёмом памяти 32 Мбита (2M x 16 бит) с последовательным SPI-совместимым интерфейсом доступа. Напряжение питания: +3.3 В (ввод-вывод), +1,8 В (ядро). Ток потребления: до 30 мА и до 120 мА соответственно. |
11 |
3/5 |
|
ЭТЗУ002ТМ-В |
Запоминающее устройство Flash-типа (ПЗУ) объёмом памяти 32 Мбита (2M x 16 бит) с последовательным SPI-совместимым интерфейсом доступа со встроенным тактовым генератором и пассивными компонентами. Напряжение питания: +3,3 В (ввод-вывод), +1,8 В (ядро). Ток потребления: до 30 мА и до 120 мА соответственно. |
1 |
3/5 |
|
ЭТЗУ003ТМ – 16МБит |
Оперативное запоминающее устройство статического типа (СОЗУ) объёмом памяти 16 Мбит (512K х 32 бит) с параллельным интерфейсом и с автоматической системой обнаружения ошибок на основе кодов Хемминга. Напряжение питания: +3,3 В (ввод-вывод), +1,8 В (ядро). Ток потребления: до 300 мА (50 МГц, чтение) и до 650 мА (50 МГц, запись) соответственно.
|
1 |
3/5 |
|
ЭТЗУ003ТМ-В – 16МБит |
1 |
3/5 |
|
|
ЭТЗУ004ТМ – 64МБит |
Серия законченных модулей памяти Flash-типа (ПЗУ) объёмом 64/128/256 Мбит (2/4/8 x 2M x 16 бит) на основе ЗУ001ТМ со встроенной подсистемой питания, контроллером доступа к памяти и тактовым генератором. Напряжение питания: +3,3 В. Ток потребления: до 200 мА. |
1 |
3/5 |
|
ЭТЗУ004ТМ– 128МБит |
1 |
3/5 |
|
|
ЭТЗУ004ТМ– 256МБит |
1 |
3/5 |
|
|
ЭТЗУ004ТМ –64МБит |
1 |
3/5 |
|
|
ЭТЗУ004ТМ –128МБит |
1 |
3/5 |
|
|
ЭТЗУ004ТМ –256МБит |
1 |
3/5 |
|
|
ЭТЗУ007ТМ-64МБит |
Модуль запоминающего устройство MRAM-типа (ПЗУ/ОЗУ) объёмом памяти 64 Мбит (4 х 2M x 8 бит) с параллельным интерфейсом. Напряжение питания: +3,3 В. Ток потребления: до 150 мА. |
1 |
3/5 |
|
ЭТЗУ007ТМ-64МБит |
1 |
3/5 |
|
|
ЭТЗУ008ТМ – 64Мбит/80Мбит/ 128Мбит/160 Мбит
|
Серия законченных модулей запоминающих устройств статического типа (СОЗУ) объёмом памяти 64/128 Мбит (4/8 x 512K х 32 бит) на основе ЗУ003ТМ со встроенной подсистемой питания и контроллером доступа к памяти. Напряжение питания: +3,3 В. Ток потребления: до 1 А. |
1 |
3/5 |
|
1 |
3/5 |
||
|
1 |
3/5 |
||
|
ЭТЗУ29040ТМ (NEW) |
|
50000 |
3/5 |
| ЗУ101ТМ |
ПЗУ с параллельным интерфейсом Объём памяти составляет не менее 256 Кбит и может быть увеличен по согласованию с Заказчиком. Время чтения\записи: 70\70 нс Напряжение питания: +3,0 – 5.5 В. Ток потребления: до 10 мА. |
10 | 3/5 |
| ЗУ102ТМ |
ПЗУ с параллельным и последовательным SPI интерфейсами Объём памяти составляет не менее 256 Кбит и может быть увеличен по согласованию с Заказчиком. Время чтения\записи (паралл.инт.): 70\70 нс Частота тактирования SPI: 10МГц Напряжение питания: +3,0 – 5.5 В. Ток потребления: до 10 мА. |
10 | 3/5 |
| ЭТЗУ010ТМ-И-24 |
